國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運動
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動智慧機器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機遇并存
影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:1、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明:在0~82g/L時,蝕刻時間長;在82~120g/L時,蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時,蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定;在165~225g/L時,溶液不穩(wěn)定,趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響:通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會降低,以致失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進行,要不斷補加氯化銨。請認準(zhǔn)蘇州博洋化學(xué)股份有限公司。合肥天馬用的蝕刻液蝕刻液報價

更推薦滿足。參照圖4,在添加劑(硅烷系偶聯(lián)劑)的aeff處于,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶聯(lián)劑的aeff處于,能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,在利用上述范圍所重疊范圍(規(guī)格(spec)滿足區(qū)間)即aeff為2以上,能夠使因副反應(yīng)氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內(nèi)的情況下,上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,由此,即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程,也能夠選擇具有目標(biāo)防蝕能力的硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑。本發(fā)明的上述硅烷系偶聯(lián)劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。例如,對于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準(zhǔn)處理10,000秒的情況下,推薦按照保護對象膜的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發(fā)明的添加劑的防蝕能力可以通過上述添加劑的aeff值與濃度之積來計算,由蝕刻程度(etchingamount,e/a)來表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。深圳京東方用的蝕刻液蝕刻液聯(lián)系方式蝕刻液的測試方法有哪些?

本實用新型有關(guān)于一種擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備,尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產(chǎn)品損耗的擋液板結(jié)構(gòu)與以之制備的蝕刻設(shè)備。背景技術(shù):請參閱圖1所示,為傳統(tǒng)擋液板結(jié)構(gòu)的整體設(shè)置示意圖,其中一實心pvc板態(tài)樣的擋液板結(jié)構(gòu)a設(shè)置于一濕式蝕刻機(圖式未標(biāo)示)內(nèi),主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標(biāo)示)對設(shè)置于該擋液板結(jié)構(gòu)a下方的基板(圖式未標(biāo)示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現(xiàn)象,并且在濕式蝕刻的制程步驟中,該基板設(shè)置于二風(fēng)刀b之間,當(dāng)該基板設(shè)置于一輸送裝置(圖式未標(biāo)示)而由該擋液板結(jié)構(gòu)a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動至風(fēng)刀b之間,該等風(fēng)刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以將該基板表面殘留的蝕刻藥液吹除;然而,當(dāng)在該等風(fēng)刀b進行吹氣的狀態(tài)下,容易在該擋液板結(jié)構(gòu)a下方形成微小的真空空間而形成渦流并造成真空吸板的問題;因此,如何有效借由創(chuàng)新的硬體設(shè)計,確實達到保有原始擋液板的擋液效果,以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導(dǎo)致的基板刮傷或破片風(fēng)險,仍是濕式蝕刻機等相關(guān)產(chǎn)業(yè)開發(fā)業(yè)者與相關(guān)研究人員需持續(xù)努力克服與解決的課題。
所述液位計7安裝于所述分離器的外表面。液位計7安裝在方便工作人員查看的位置,有利于提高工作人員工作的效率。在一個實施例中,如圖1所示,所述液位開關(guān)9為控制閥,設(shè)置于所述濾液出口2處??刂崎y為內(nèi)螺紋截止閥,通過旋轉(zhuǎn)操縱盤實現(xiàn)閥門的開關(guān),這種閥結(jié)構(gòu)簡單,維修方便,工作行程小,啟閉時間短,使用壽命長。在一個實施例中,如圖2所示,所述分離器的側(cè)壁上設(shè)有多個視鏡10。分離器側(cè)壁上設(shè)置的視鏡10可以幫助工作人員輔助判斷液位計7的工作狀況。在一個實施例中,如圖1所示,所述加熱器11為盤管式加熱器。盤管式加熱器的受熱更加均勻,加熱效率更高。在一個實施例中,如圖1所示,所述分離器底部為錐體形狀。分離器底部設(shè)置成錐體形狀更有利于濾液排出,不會殘留在分離器內(nèi)。以上所述是本實用新型的推薦實施方式,本實用新型的保護范圍并不局限于上述實施例,凡屬于本實用新型思路下的技術(shù)方案均屬于本實用新型的保護范圍。應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型原理前提下的若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護范圍。蘇州哪家公司可以做蝕刻液;

12、伸縮桿;13、圓環(huán)塊;14、連接桿;15、回流管;16、增壓泵;17、一號排液管;18、一號電磁閥;19、抽氣泵;20、排氣管;21、集氣箱;22、二號排液管;23、二號電磁閥;24、傾斜板;25、活動板;26、蓄水箱;27、進水管;28、抽水管;29、三號電磁閥;30、控制面板。具體實施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。請參閱圖1-5,本發(fā)明提供一種技術(shù)方案:一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置,包括裝置主體1,裝置主體1內(nèi)部中間位置固定安裝有分隔板2,分隔板2左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板3,承載板3上端表面放置有電解池4,電解池4內(nèi)部中間位置設(shè)置有隔膜5,裝置主體1上端表面靠近右側(cè)安裝有進液漏斗6,進液漏斗6上設(shè)置有過濾網(wǎng)7,裝置主體1內(nèi)部靠近頂端設(shè)置有進液管8,進液管8左端連接有伸縮管9,伸縮管9下端安裝有噴頭10,裝置主體1上端表面靠近左側(cè)固定安裝有液壓缸11,液壓缸11下端安裝有伸縮桿12。BOE蝕刻液的主要成分。合肥銅鈦蝕刻液蝕刻液私人定做
金屬蝕刻網(wǎng)會用到蝕刻液嗎;合肥天馬用的蝕刻液蝕刻液報價
以及一設(shè)置于基板下方的第二風(fēng)刀,其中***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀分別吹出一氣體至基板。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中蝕刻設(shè)備可進一步設(shè)置有一噴灑裝置,噴灑裝置相對于風(fēng)刀裝置一端而設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)的另一端部。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中噴灑裝置噴灑一藥液至基板上。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中擋液板結(jié)構(gòu)與基板的垂直距離介于8mm至15mm之間。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中滾輪呈順時針方向轉(zhuǎn)動,并帶動基板由噴灑裝置下端部朝向風(fēng)刀裝置的***風(fēng)刀下端部的方向移動。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中氣體遠離***風(fēng)刀與第二風(fēng)刀的方向分別與基板的法線方向夾設(shè)有一第三夾角。如上所述的蝕刻設(shè)備,其中第三夾角介于20度至35度之間。再者,為了達到上述實施目的,本實用新型另研擬一種蝕刻方法,于一濕式蝕刻機的一槽體內(nèi)運行;首先,設(shè)置一擋液板結(jié)構(gòu),其中擋液板結(jié)構(gòu)設(shè)置有復(fù)數(shù)個宣泄孔;接著,使用一設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)下方的輸送裝置輸送一基板,以經(jīng)過一噴灑裝置進行一藥液噴灑;接續(xù),使用一設(shè)置于擋液板結(jié)構(gòu)下方的風(fēng)刀裝置對基板吹出一氣體,以使基板干燥;***,氣體經(jīng)由宣泄孔宣泄。如上所述的蝕刻方法。合肥天馬用的蝕刻液蝕刻液報價