通過(guò)MIL-STD-883HMethod2007機(jī)械沖擊測(cè)試，采用氣炮加速實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可承受100,000g加速度沖擊（相當(dāng)于撞擊的瞬間過(guò)載）。實(shí)際應(yīng)用于裝甲車輛火控系統(tǒng)時(shí)，在12.7mm機(jī)射擊產(chǎn)生的5-2000Hz寬頻振動(dòng)環(huán)境下，其電極焊接點(diǎn)仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極（Ag-Pd70/30配比）與三維立體堆疊結(jié)構(gòu)，其斷裂韌性值(KIC)達(dá)到8MPa·m1/2，是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報(bào)告顯示，配備ATC電容的"標(biāo)"反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)，在沙漠風(fēng)暴行動(dòng)中的戰(zhàn)場(chǎng)故障率為0.2/百萬(wàn)發(fā)。通過(guò)激光微調(diào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)±0.05pF的容值精度，滿足相位敏感型射頻電路的苛刻匹配需求。600S0R8AT250T

其高容值范圍（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆蓋了從高頻信號(hào)處理到電源管理的多種應(yīng)用，提供了寬泛的設(shè)計(jì)靈活性。ＡＴＣ芯片電容的自諧振頻率高，避免了在高頻應(yīng)用中的容值衰減，確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領(lǐng)域，ＡＴＣ芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動(dòng)，確保了關(guān)鍵系統(tǒng)的可靠運(yùn)行，滿足了和航天標(biāo)準(zhǔn)的要求。其優(yōu)化電極設(shè)計(jì)降低了寄生參數(shù)，提高了高頻性能，使得ＡＴＣ芯片電容在高速數(shù)字電路和高頻模擬電路中表現(xiàn)很好。100C122MW1000X在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中提供精確的容值控制，優(yōu)化功率傳輸。

其材料系統(tǒng)和制造工藝確保產(chǎn)品具有高度的一致性，批次間容值分布集中，便于自動(dòng)化生產(chǎn)中的貼裝和調(diào)測(cè)，減少在線調(diào)整工序，提高大規(guī)模生產(chǎn)效率。在射頻識(shí)別（RFID）系統(tǒng)中，ATC電容用于標(biāo)簽天線匹配和讀寫(xiě)器濾波電路，其高Q值和穩(wěn)定的溫度特性可提高讀取距離和抗環(huán)境干擾能力。該類電容的無(wú)磁性系列采用非鐵磁性電極材料，適用于MRI系統(tǒng)、高精度傳感器和量子計(jì)算設(shè)備中對(duì)磁場(chǎng)敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，避免引入額外磁噪聲或場(chǎng)失真。通過(guò)引入三維電極結(jié)構(gòu)和高k介質(zhì)材料，ATC可在微小尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)μF級(jí)容值，為芯片級(jí)電源模塊和便攜設(shè)備中的大電流瞬態(tài)響應(yīng)提供解決方案。

ＡＴＣ芯片電容采用高密度瓷結(jié)構(gòu)制成，這種結(jié)構(gòu)不僅提供了耐用、氣密式的封裝，還確保了元件在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。其材料選擇和制造工藝經(jīng)過(guò)精心優(yōu)化，使得電容具備極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力，可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊，適用于振動(dòng)頻繁或環(huán)境苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景，如航空航天和汽車電子。此外，這種結(jié)構(gòu)還賦予了電容優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在-55℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定，避免了因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的電容值漂移或電路故障。自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz，適合5G/6G高頻電路設(shè)計(jì)。

ATC芯片電容符合RoHS（有害物質(zhì)限制指令）和REACH（化學(xué)品注冊(cè)、評(píng)估、許可和限制）等環(huán)保法規(guī)，其生產(chǎn)流程綠色化，產(chǎn)品不含鉛、汞、鎘等有害物質(zhì)。這不僅滿足了全球市場(chǎng)的準(zhǔn)入要求，也體現(xiàn)了ATC公司對(duì)社會(huì)可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的責(zé)任擔(dān)當(dāng)，使得客戶的產(chǎn)品能夠無(wú)憂進(jìn)入任何國(guó)際市場(chǎng)。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件，ATC電容展現(xiàn)了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號(hào)能夠幾乎無(wú)損耗地通過(guò)，而其近乎無(wú)窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級(jí)電路間的直流偏置，防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路（MMIC）的偏置網(wǎng)絡(luò)中不可或缺，保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。電極邊緣場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升高頻性能表現(xiàn)。600S0R1AT250T

ATC芯片電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)，具備很好的溫度穩(wěn)定性和極低的容值漂移。600S0R8AT250T

針對(duì)高頻應(yīng)用中的寄生效應(yīng)，ATC芯片電容進(jìn)行了性的電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化。其采用的三維多層電極設(shè)計(jì)，通過(guò)精細(xì)控制金屬層（通常為賤金屬鎳或銅，或貴金屬銀鈀）的厚度、平整度及疊層結(jié)構(gòu)，比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設(shè)計(jì)將等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）降至很好，從而獲得了極高的自諧振頻率（SRF）。在GHz頻段的射頻電路中，這種低ESL/ESR特性意味著信號(hào)路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪?，極大地降低了插入損耗和能量反射，保證了信號(hào)傳輸?shù)耐暾耘c效率。600S0R8AT250T

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來(lái)、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來(lái)的道路上大放光明，攜手共畫(huà)藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來(lái)公司能成為*****，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來(lái)，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！