在高頻功率處理能力方面，ATC電容能承受較高的射頻電流，其熱管理性能優(yōu)異，即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中，仍能保持低溫升和高可靠性，適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列（如0201、0402封裝）在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間，為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)，完全滿(mǎn)足汽車(chē)電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求，廣泛應(yīng)用于ADAS、車(chē)載信息娛樂(lè)和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中，ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻，可有效抑制電壓尖峰和電流浪涌，為激光驅(qū)動(dòng)器、雷達(dá)調(diào)制器和電磁發(fā)射裝置提供穩(wěn)定的能量存儲(chǔ)和釋放功能。脈沖放電特性很好，適合雷達(dá)系統(tǒng)能量存儲(chǔ)應(yīng)用。CDR13BG1R5EBSM

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱(chēng)行業(yè)很好，其對(duì)于溫度、時(shí)間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi)，容值變化率通常小于±0.5%。同時(shí)，其容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。此外，其介質(zhì)材料的直流偏壓特性?xún)?yōu)異，在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類(lèi)電容，這對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。700E101JW3600X高溫環(huán)境下絕緣電阻保持穩(wěn)定，避免漏電流導(dǎo)致的性能下降。

在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中，其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護(hù)裝置的信號(hào)調(diào)理回路，提高電網(wǎng)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī)，全系列采用無(wú)鉛無(wú)鹵素材料，滿(mǎn)足全球主要市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)保要求，支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動(dòng)環(huán)境下，ATC電容采用抗振動(dòng)電極設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的封裝結(jié)構(gòu)，其焊點(diǎn)抗疲勞性能優(yōu)異，適用于無(wú)人機(jī)飛控系統(tǒng)、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性，支持高頻電路的仿真設(shè)計(jì)與實(shí)際性能的高度吻合，縮短研發(fā)周期，提高設(shè)計(jì)一次成功率。

通過(guò)MIL-STD-883HMethod2007機(jī)械沖擊測(cè)試，采用氣炮加速實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可承受100,000g加速度沖擊（相當(dāng)于撞擊的瞬間過(guò)載）。實(shí)際應(yīng)用于裝甲車(chē)輛火控系統(tǒng)時(shí)，在12.7mm機(jī)射擊產(chǎn)生的5-2000Hz寬頻振動(dòng)環(huán)境下，其電極焊接點(diǎn)仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極（Ag-Pd70/30配比）與三維立體堆疊結(jié)構(gòu)，其斷裂韌性值(KIC)達(dá)到8MPa·m1/2，是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報(bào)告顯示，配備ATC電容的"標(biāo)"反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)，在沙漠風(fēng)暴行動(dòng)中的戰(zhàn)場(chǎng)故障率為0.2/百萬(wàn)發(fā)。電極邊緣場(chǎng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升高頻性能表現(xiàn)。

ATC電容憑借其極低的ESL和ESR，能在極寬的頻帶內(nèi)（從KHz到GHz）提供低阻抗路徑，有效濾除電源軌上的高頻噪聲，抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲（SSN），確保為芯片重點(diǎn)提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對(duì)于防止系統(tǒng)時(shí)序錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關(guān)重要。ATC芯片電容實(shí)現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過(guò)采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量，其在單位體積內(nèi)存儲(chǔ)的電荷量（電容值）很好提升。然而，與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同，ATC通過(guò)復(fù)雜的材料改性技術(shù)，在獲得高電容密度的同時(shí)，依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計(jì)者無(wú)需在“大小”和“性能”之間艱難取舍，為空間受限的高性能應(yīng)用提供了理想解決方案。提供定制化溫度系數(shù)曲線（-55℃至+200℃），可針對(duì)特定應(yīng)用優(yōu)化容溫特性。116ZCC430G100TT

提供多種封裝形式，包括表面貼裝、插件式和特殊高頻封裝。CDR13BG1R5EBSM

ATC芯片電容的制造過(guò)程秉承了半導(dǎo)體級(jí)別的精密工藝。從納米級(jí)陶瓷粉末的制備、流延成膜的厚度控制，到電極圖案的精細(xì)印刷和層壓對(duì)位，每一步都處于微米級(jí)的精度控制之下。這種近乎苛刻的工藝要求，保證了每一批產(chǎn)品都具有極高的一致性和重復(fù)性。對(duì)于需要大量配對(duì)使用的相位陣列雷達(dá)、多通道通信系統(tǒng)等應(yīng)用而言，這種批次內(nèi)和批次間的高度一致性，確保了系統(tǒng)性能的均一與穩(wěn)定，減少了后期校準(zhǔn)的復(fù)雜度。很好的可靠性源于ATC芯片電容很全的質(zhì)量體系和rigorous的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。CDR13BG1R5EBSM

深圳市英翰森科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地，繪畫(huà)新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶(hù)不容易，失去每一個(gè)用戶(hù)很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！