產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計(jì)的型號(hào)，可實(shí)現(xiàn)極低的ESL和ESR，用于高速數(shù)字電路的電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）中能有效抑制同步開關(guān)噪聲，提升處理器和FPGA的運(yùn)行穩(wěn)定性。在抗輻射性能方面，部分宇航級(jí)ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射，滿足低地球軌道和深空探測(cè)任務(wù)的需求，適用于衛(wèi)星有效載荷、航天器控制系統(tǒng)及核電站電子設(shè)備。其端電極采用可焊性優(yōu)異的鍍層結(jié)構(gòu)，與SnAgCu等無(wú)鉛焊料兼容性好，在回流焊和波峰焊過(guò)程中不易產(chǎn)生虛焊或冷焊，提高了生產(chǎn)直通率和長(zhǎng)期連接可靠性。通過(guò)調(diào)整介質(zhì)配方和燒結(jié)工藝，ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容，用于溫度補(bǔ)償電路和傳感器中的線性校正元件，實(shí)現(xiàn)環(huán)境溫度變化的自適應(yīng)補(bǔ)償。ATC芯片電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)，具備很好的溫度穩(wěn)定性和極低的容值漂移。100A470GW150XT

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好，其對(duì)于溫度、時(shí)間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi)，容值變化率通常小于±0.5%。同時(shí)，其容值隨時(shí)間的老化率遵循對(duì)數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。此外，其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異，在高偏壓下的容值下降幅度遠(yuǎn)小于常規(guī)X7R/X5R類電容，這對(duì)于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關(guān)重要。CDR14BG0R4ECSM在電源去耦應(yīng)用中提供極低阻抗路徑，有效抑制高頻噪聲。

在高頻微波電路中，ATC電容可用于實(shí)現(xiàn)低插損的直流阻斷、阻抗變換和射頻耦合功能，其性能穩(wěn)定性明顯優(yōu)于分立傳輸線結(jié)構(gòu)，有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提高系統(tǒng)一致性。在電力電子領(lǐng)域，其高絕緣電阻（通常超過(guò)10GΩ）和低泄漏電流特性，使ATC電容適用于電能計(jì)量芯片的參考電容、隔離反饋電路及新能源逆變器的電壓檢測(cè)回路。該類電容具有良好的抗脈沖沖擊能力，可承受高達(dá)100A/μs的電流變化率，用于IGBT/MOSFET緩沖電路和開關(guān)電源中的吸收回路，能有效抑制電壓過(guò)沖和減小開關(guān)損耗。

ＡＴＣ芯片電容在高頻應(yīng)用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(shù)（ＤＦ）低于２．５％，在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率，明顯降低了電路的發(fā)熱和能量損失。這一特性在５Ｇ基站、雷達(dá)系統(tǒng)和高速通信設(shè)備中尤為重要，確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效。通過(guò)半導(dǎo)體級(jí)工藝制造，ＡＴＣ芯片電容實(shí)現(xiàn)了極高的精度和一致性。其容值公差可控制在±１０％甚至更窄的范圍，滿足了精密電路對(duì)元件參數(shù)的高要求。這種精度在匹配網(wǎng)絡(luò)、濾波器和振蕩器等應(yīng)用中至關(guān)重要，確保了電路的預(yù)期性能和可靠性。容值范圍覆蓋0.1pF至數(shù)微法，滿足多樣化應(yīng)用需求。

ＡＴＣ芯片電容的耐壓能力非常突出，能夠承受較高的工作電壓（如２００ＶＤＣ或更高），確保電路的安全運(yùn)行。其介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，提供了高擊穿電壓和低泄漏電流，避免了在高電壓應(yīng)用中的失效風(fēng)險(xiǎn)。這種高耐壓特性使得它在電源管理、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域中成為理想選擇，尤其是在需要高可靠性和安全性的場(chǎng)景中。溫度穩(wěn)定性是ＡＴＣ芯片電容的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一。其采用的材料和工藝確保了在寬溫范圍內(nèi)（如－５５℃至＋１２５℃）容值變化極小，例如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介質(zhì)的電容溫度系數(shù)可低至±３０ｐｐｍ／℃。這種特性使得它在極端環(huán)境（如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙或航空航天設(shè)備）中仍能保持穩(wěn)定性能，避免了因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的電路故障提供定制化服務(wù)，可根據(jù)特殊需求開發(fā)型號(hào)。100C390FW2500X

采用共燒陶瓷金屬化工藝，使電極與介質(zhì)形成微觀一體化結(jié)構(gòu)，徹底消除分層風(fēng)險(xiǎn)。100A470GW150XT

出色的抗老化特性是ATC電容長(zhǎng)期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過(guò)初始老化后趨于極度穩(wěn)定，容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著，一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備，在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi)，其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長(zhǎng)期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長(zhǎng)生命周期產(chǎn)品而言，價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收（DielectricAbsorption,DA）是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”，會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓，導(dǎo)致采樣保持電路（SHA）、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的DA典型值可低至0.1%，遠(yuǎn)低于普通陶瓷電容（可達(dá)2-5%），這使其成為構(gòu)建高精度、低誤差數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和測(cè)量?jī)x器的理想選擇。100A470GW150XT

深圳市英翰森科技有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過(guò)程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無(wú)前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市英翰森科技供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來(lái)，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！