面對(duì)AI眼鏡出貨量激增（IDC預(yù)計(jì)2025年全球達(dá)1280萬(wàn)副），量產(chǎn)測(cè)試效率成為關(guān)鍵瓶頸。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**512Sites并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆SoC測(cè)試成本，滿足高量產(chǎn)型號(hào)的產(chǎn)能需求。其支持Access、Excel、CSV、STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式導(dǎo)出，便于測(cè)試數(shù)據(jù)與MES系統(tǒng)對(duì)接，實(shí)現(xiàn)良率追蹤與SPC分析。GPIB/TTL接口可同步探針臺(tái)與分選機(jī)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程，提升測(cè)試一致性與可靠性。對(duì)于集成了AI加速單元的MCU類SoC，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)可同時(shí)驗(yàn)證其神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)推理功能與低功耗行為，確保端側(cè)AI性能與續(xù)航的雙重達(dá)標(biāo)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可用于執(zhí)行電壓裕量測(cè)試（VoltageMargining），評(píng)估芯片在電壓波動(dòng)下的穩(wěn)定性。長(zhǎng)沙導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

AI眼鏡的崛起標(biāo)志著消費(fèi)電子向“感知+計(jì)算+交互”一體化演進(jìn)。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信號(hào)器件，測(cè)試難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)MCU。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借nA級(jí)電流測(cè)量、高精度模擬測(cè)試、10ps時(shí)序分析、高并行架構(gòu)與開放軟件平臺(tái)，成為AI眼鏡SoC從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)落地的關(guān)鍵支撐。它不**滿足當(dāng)前40/28nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)試需求，更具備向更先進(jìn)工藝延伸的能力。在AI終端加速滲透的浪潮中，GT600為國(guó)產(chǎn)可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的測(cè)試解決方案，助力中國(guó)智造搶占下一代人機(jī)交互入口。深圳導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商高精度電壓輸出與測(cè)量，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號(hào)支持與開放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測(cè)試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過GPIB/TTL接口與探針臺(tái)、分選機(jī)聯(lián)動(dòng)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程。選擇國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，就是選擇一條高效、自主、面向AI時(shí)代的SoC測(cè)試之路。

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下，數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn)，芯片能效比（Performance per Watt）成為**指標(biāo)。杭州國(guó)磊GT600通過PPMU精確測(cè)量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)功耗，結(jié)合FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式，繪制完整的功耗-性能曲線，幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)（DVFS）策略。其FIMV模式還可檢測(cè)芯片在高負(fù)載下的電壓跌落，防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國(guó)磊GT600支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性測(cè)試，模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場(chǎng)景，篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測(cè)試大幅降低單顆芯片測(cè)試時(shí)間與成本，適配萬(wàn)片級(jí)量產(chǎn)需求。杭州國(guó)磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者，更是能效的“精算師”，助力國(guó)產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏得市場(chǎng)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持Real-time與Pattern-triggered頻率測(cè)試模式，適用于HBM時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)定性分析。

HBM的集成不****是帶寬提升，更帶來(lái)了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R（Skew）等問題，直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì)，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡，實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如，通過GT-TMUHA04（10ps分辨率）精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成純凈激勵(lì)信號(hào)，**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問題系統(tǒng)化解決，為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障，確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。國(guó)磊GT600支持循環(huán)執(zhí)行睡眠-喚醒測(cè)試，實(shí)時(shí)采集功耗數(shù)據(jù)并自動(dòng)生成報(bào)告，提升測(cè)試效率與可重復(fù)性。MIR絕緣電阻測(cè)試設(shè)備

強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析功能，助您快速定位問題。長(zhǎng)沙導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器（CIS）和圖像信號(hào)處理器（ISP）對(duì)圖像質(zhì)量要求極高。國(guó)磊GT600可通過高速數(shù)字通道測(cè)試ISP的圖像處理算法（如降噪、邊緣增強(qiáng)），并通過AWG注入模擬圖像信號(hào)，驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國(guó)磊GT600的FVMI模式可精確測(cè)量uA級(jí)靜態(tài)電流，篩選出“省電體質(zhì)”芯片；其支持長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試，可模擬10年以上使用壽命，確保植入后萬(wàn)無(wú)一失。 綜上，國(guó)磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測(cè)試能力，為國(guó)產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。長(zhǎng)沙導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商