AI芯片在推理或訓(xùn)練突發(fā)負(fù)載下,電流可在微秒級劇烈波動,易引發(fā)電壓塌陷(VoltageDroop)。國磊GT600SoC測試機(jī)支持高采樣率動態(tài)電流監(jiān)測,可捕獲電源門控開啟瞬間的浪涌電流(InrushCurrent)與工作過程中的瞬態(tài)功耗波形,幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化去耦電容布局與電源完整性(PI)設(shè)計(jì)。其128M向量響應(yīng)存儲深度支持長時(shí)間功耗行為記錄,用于分析AI工作負(fù)載的能耗模式?,F(xiàn)代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模塊,引腳數(shù)常超2000。國磊GT600支持**2048個(gè)數(shù)字通道與400MHz測試速率,可完整覆蓋AI芯片的I/O接口功能驗(yàn)證。其512Sites高并行測試架構(gòu)**提升測試吞吐量,降低單顆芯片測試成本,滿足AI服務(wù)器芯片大規(guī)模量產(chǎn)需求。
國磊GT600的128M向量存儲深度可記錄長時(shí)間功耗波形,用于分析AI推理、傳感器喚醒等突發(fā)任務(wù)的能耗曲線。GEN測試系統(tǒng)廠商

每一部智能手機(jī)的**都是一顆名為SoC的“超級大腦”。以蘋果為例,每一代iPhone都搭載自研的A系列或M系列芯片(如A18、M4)。這顆芯片集成了CPU、GPU、NPU、ISP、基帶、內(nèi)存控制器等數(shù)十個(gè)模塊。但這顆芯片在量產(chǎn)前,必須經(jīng)歷SoC測試機(jī)成千上萬次的測試。比如功能驗(yàn)證:檢查芯片的每一個(gè)邏輯門是否正常工作。當(dāng)你用iPhone拍照時(shí),ISP是否能正確處理圖像?A18芯片的NPU是否能準(zhǔn)確識別人臉?國磊GT600芯片測試機(jī)會模擬各種使用場景,輸入測試向量,驗(yàn)證輸出結(jié)果。性能篩選:國磊GT600SoC芯片測試機(jī)會進(jìn)行速度分級測試,將芯片分為不同等級。只有通過最高速度測試的芯片,才會被用于旗艦機(jī)型。功耗與漏電檢測:手機(jī)續(xù)航至關(guān)重要。國磊GT600芯片測試機(jī)的PPMU能精確測量芯片的靜態(tài)電流(Iddq),確保待機(jī)時(shí)不“偷電”,避免手機(jī)“一天三充”??煽啃员U希涸跇O端溫度、電壓下運(yùn)行芯片,篩選出可能早期失效的“弱雞芯片”。國磊GT600芯片測試機(jī)支持老化測試,確保每一顆裝進(jìn)iPhone的芯片都經(jīng)得起長期使用?;旌闲盘枩y試:現(xiàn)代SoC不僅有數(shù)字電路,還有大量模擬模塊(如音頻編解碼、電源管理)。國磊GT600芯片測試機(jī)可選配AWG和TMU,精確測試這些模擬功能,確保通話清晰、充電穩(wěn)定。GEN測試系統(tǒng)研發(fā)公司測試電壓范圍1V至3000V可調(diào),滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。

HBM的集成不****是帶寬提升,更帶來了復(fù)雜的混合信號測試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R(Skew)等問題,直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國磊GT600測試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì),支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡,實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測試。例如,通過GT-TMUHA04(10ps分辨率)精確測量HBM接口時(shí)序偏差,利用GT-AWGLP02(-122dBTHD)生成純凈激勵信號,**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問題系統(tǒng)化解決,為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號的**測試保障,確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。
AI眼鏡作為下一代可穿戴計(jì)算終端,正面臨“功能豐富度、續(xù)航時(shí)長、設(shè)備重量”三者難以兼得的工程難題。為實(shí)現(xiàn)語音交互、實(shí)時(shí)翻譯、環(huán)境感知與輕量化設(shè)計(jì),其**SoC必須在極小面積內(nèi)集成CPU、NPU、DSP、藍(lán)牙/Wi-Fi射頻、傳感器接口與電源管理模塊,同時(shí)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下實(shí)現(xiàn)**靜態(tài)功耗。這類高度集成的異構(gòu)SoC對測試設(shè)備提出了嚴(yán)苛要求:不**需驗(yàn)證復(fù)雜功能邏輯,更要精確測量nA級漏電流、微瓦級動態(tài)功耗及多電源域切換時(shí)序。國磊GT600測試機(jī)支持每通道PPMU,可實(shí)現(xiàn)nA級IDDQ測量,**識別SoC在睡眠模式下的漏電異常,確保續(xù)航能力不受“隱形功耗”拖累。國磊GT600SoC測試機(jī)高精度浮動SMU板卡可實(shí)現(xiàn)HBM接口電源域的電壓裕量(VoltageMargining)與功耗測試。

數(shù)據(jù)中心芯片的“能效裁判” 在“雙碳”目標(biāo)下,數(shù)據(jù)中心能耗成為焦點(diǎn),芯片能效比(Performance per Watt)成為**指標(biāo)。杭州國磊GT600通過PPMU精確測量AI加速芯片、服務(wù)器CPU的靜態(tài)與動態(tài)功耗,結(jié)合FVMI(強(qiáng)制電壓測電流)模式,繪制完整的功耗-性能曲線,幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)優(yōu)化電壓頻率調(diào)節(jié)(DVFS)策略。其FIMV模式還可檢測芯片在高負(fù)載下的電壓跌落,防止因供電不穩(wěn)導(dǎo)致死機(jī)。杭州國磊GT600支持長時(shí)間穩(wěn)定性測試,模擬數(shù)據(jù)中心7x24小時(shí)運(yùn)行場景,篩選出“耐力型”芯片。512站點(diǎn)并行測試大幅降低單顆芯片測試時(shí)間與成本,適配萬片級量產(chǎn)需求。杭州國磊GT600不僅是性能的驗(yàn)證者,更是能效的“精算師”,助力國產(chǎn)芯片在綠色計(jì)算時(shí)代贏得市場。國磊GT600可配置GT-DPSMV08電源板卡,提供-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動能力,覆蓋多種模擬IC的供電測試場景。GEN測試系統(tǒng)廠商
國磊GT600測試機(jī)可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工藝節(jié)點(diǎn)的電源門控測試。GEN測試系統(tǒng)廠商
醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器(CIS)和圖像信號處理器(ISP)對圖像質(zhì)量要求極高。國磊GT600可通過高速數(shù)字通道測試ISP的圖像處理算法(如降噪、邊緣增強(qiáng)),并通過AWG注入模擬圖像信號,驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國磊GT600的FVMI模式可精確測量uA級靜態(tài)電流,篩選出“省電體質(zhì)”芯片;其支持長時(shí)間老化測試,可模擬10年以上使用壽命,確保植入后萬無一失。 綜上,國磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測試能力,為國產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。GEN測試系統(tǒng)廠商