芯片封裝的環(huán)保要求：在環(huán)保意識(shí)日益增強(qiáng)的現(xiàn)在，芯片封裝生產(chǎn)也需符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。中清航科高度重視環(huán)境保護(hù)，在生產(chǎn)過(guò)程中采用環(huán)保材料、清潔能源和先進(jìn)的廢氣、廢水處理技術(shù)，減少對(duì)環(huán)境的污染。公司嚴(yán)格遵守國(guó)家環(huán)保法規(guī)，通過(guò)了多項(xiàng)環(huán)保認(rèn)證，實(shí)現(xiàn)了封裝生產(chǎn)與環(huán)境保護(hù)的協(xié)調(diào)發(fā)展，為客戶提供綠色、環(huán)保的封裝產(chǎn)品，助力客戶實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。國(guó)際芯片封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：當(dāng)前，國(guó)際芯片封裝技術(shù)呈現(xiàn)出集成化、小型化、高頻化、低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。先進(jìn)封裝技術(shù)如3DIC、Chiplet（芯粒）等成為研究熱點(diǎn)，這些技術(shù)能進(jìn)一步提高芯片性能，降低成本。中清航科密切關(guān)注國(guó)際技術(shù)動(dòng)態(tài)，與國(guó)際企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)保持合作交流，積極引進(jìn)和吸收先進(jìn)技術(shù)，不斷提升自身在國(guó)際市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，為客戶提供與國(guó)際同步的先進(jìn)封裝解決方案。中清航科芯片封裝技術(shù)，通過(guò)電磁兼容設(shè)計(jì)，降低多芯片間信號(hào)干擾。浙江半導(dǎo)體封裝 焊線

面對(duì)衛(wèi)星載荷嚴(yán)苛的空間環(huán)境，中清航科開(kāi)發(fā)陶瓷多層共燒（LTCC）MCM封裝技術(shù)。采用鎢銅熱沉基底與金錫共晶焊接，實(shí)現(xiàn)-196℃~+150℃極端溫變下熱失配率＜3ppm/℃。通過(guò)嵌入式微帶線設(shè)計(jì)將信號(hào)串?dāng)_抑制在-60dB以下，使星載處理器在單粒子翻轉(zhuǎn)（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。該方案已通過(guò)ECSS-Q-ST-60-13C宇航標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，成功應(yīng)用于低軌衛(wèi)星星務(wù)計(jì)算機(jī)，模塊失效率＜50FIT（10億小時(shí)運(yùn)行故障率）。針對(duì)萬(wàn)米級(jí)深海探測(cè)裝備的100MPa超高壓環(huán)境，中清航科金屬-陶瓷復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)。采用氧化鋯增韌氧化鋁（ZTA）陶瓷環(huán)與鈦合金殼體真空釬焊，實(shí)現(xiàn)漏率＜1×10?1?Pa·m3/s的密封。內(nèi)部壓力補(bǔ)償系統(tǒng)使腔體形變＜0.05%，保障MEMS傳感器在110MPa壓力下精度保持±0.1%FS。耐腐蝕鍍層通過(guò)3000小時(shí)鹽霧試驗(yàn)，已用于全海深聲吶陣列封裝，在馬里亞納海溝實(shí)現(xiàn)連續(xù)500小時(shí)無(wú)故障探測(cè)。浙江ic的氣密性封裝芯片封裝成本壓力大，中清航科材料替代方案，在降本同時(shí)保性能。

為應(yīng)對(duì)Chiplet集成挑戰(zhàn)，中清航科推出自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的混合鍵合（HybridBonding）平臺(tái)。采用銅-銅直接鍵合工藝，凸點(diǎn)間距降至5μm，互連密度達(dá)10?/mm2。其測(cè)試芯片在16核處理器集成中實(shí)現(xiàn)8Tbps/mm帶寬，功耗只為傳統(tǒng)方案的1/3。中清航科研發(fā)的納米銀燒結(jié)膠材料突破高溫封裝瓶頸。在SiC功率模塊封裝中，燒結(jié)層導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)250W/mK，耐受溫度600℃，使模塊壽命延長(zhǎng)5倍。該材料已通過(guò)ISO26262認(rèn)證，成為新能源汽車(chē)OBC充電模組優(yōu)先選擇方案。

中清航科部署封裝數(shù)字孿生系統(tǒng)，通過(guò)AI視覺(jué)檢測(cè)實(shí)現(xiàn)微米級(jí)缺陷捕捉。在BGA植球工藝中，球徑一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校準(zhǔn)系統(tǒng)使設(shè)備換線時(shí)間縮短至15分鐘，產(chǎn)能利用率提升至90%。針對(duì)HBM內(nèi)存堆疊需求，中清航科開(kāi)發(fā)超薄芯片處理工藝。通過(guò)臨時(shí)鍵合/解鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)50μm超薄DRAM晶圓加工，4層堆疊厚度400μm。其TSV深寬比達(dá)10:1，阻抗控制在30mΩ以下，滿足GDDR6X1TB/s帶寬要求。中清航科可拉伸封裝技術(shù)攻克可穿戴設(shè)備難題。采用蛇形銅導(dǎo)線與彈性體基底結(jié)合，使LED陣列在100%拉伸形變下保持導(dǎo)電功能。醫(yī)療級(jí)生物相容材料通過(guò)ISO10993認(rèn)證，已用于動(dòng)態(tài)心電圖貼片量產(chǎn)。中清航科聚焦芯片封裝，用綠色工藝，降低生產(chǎn)過(guò)程中的能耗與排放。

中清航科深紫外LED封裝攻克出光效率瓶頸。采用氮化鋁陶瓷基板搭配高反射鏡面腔體，使280nmUVC光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)12%。在殺菌模組應(yīng)用中，光功率密度提升至80mW/cm2，壽命突破10,000小時(shí)。基于MEMS壓電薄膜異質(zhì)集成技術(shù)，中清航科實(shí)現(xiàn)聲學(xué)傳感器免ASIC封裝。直接輸出數(shù)字信號(hào)的壓電微橋結(jié)構(gòu)，使麥克風(fēng)信噪比達(dá)74dB。尺寸縮小至1.2×0.8mm2，助力TWS耳機(jī)減重30%。中清航科太赫茲頻段封裝突破300GHz屏障。采用石英波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)，在0.34THz頻點(diǎn)插損＜3dB。其天線封裝（AiP）方案使安檢成像分辨率達(dá)2mm，已用于人體安檢儀量產(chǎn)。中清航科專(zhuān)注芯片封裝，通過(guò)材料革新讓微型化與高效能兼得。浙江半導(dǎo)體封裝 焊線

先進(jìn)封裝需多學(xué)科協(xié)同，中清航科跨領(lǐng)域團(tuán)隊(duì)，攻克材料與結(jié)構(gòu)難題。浙江半導(dǎo)體封裝 焊線

中清航科推出SI/PI協(xié)同仿真平臺(tái)，集成電磁場(chǎng)-熱力多物理場(chǎng)分析。在高速SerDes接口設(shè)計(jì)中，通過(guò)優(yōu)化封裝布線減少35%串?dāng)_，使112GPAM4信號(hào)眼圖高度提升50%。該服務(wù)已幫助客戶縮短60%設(shè)計(jì)驗(yàn)證周期。中清航科自主開(kāi)發(fā)的AMB活性金屬釬焊基板，熱導(dǎo)率達(dá)180W/mK。結(jié)合銀燒結(jié)工藝的IGBT模塊，熱循環(huán)壽命達(dá)5萬(wàn)次以上。在光伏逆變器應(yīng)用中，另功率循環(huán)能力提升3倍，助力客戶產(chǎn)品質(zhì)保期延長(zhǎng)至10年。通過(guò)整合CP測(cè)試與封裝產(chǎn)線，中清航科實(shí)現(xiàn)KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量產(chǎn)中采用動(dòng)態(tài)測(cè)試分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽車(chē)電子測(cè)試倉(cāng)溫度范圍覆蓋-65℃~175℃，支持功能安全診斷。浙江半導(dǎo)體封裝 焊線