晶圓切割/裂片是芯片制造過(guò)程中的重要工序,屬于先進(jìn)封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一,該工序可以將晶圓分割成單個(gè)芯片,用于隨后的芯片鍵合。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)高性能和更小型電子器件的需求增加,晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細(xì)結(jié)構(gòu)和電路的情況下分離單個(gè)芯片,成功與否取決于分離出來(lái)的芯片的質(zhì)量和產(chǎn)量,以及整個(gè)過(guò)程的效率。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種切割技術(shù),每種技術(shù)都有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。切割道寬度測(cè)量?jī)x中清航科研發(fā),在線檢測(cè)精度達(dá)0.05μm。晶圓研磨切割

半導(dǎo)體晶圓是一種薄而平的半導(dǎo)體材料圓片,組成通常為硅,主要用于制造集成電路(IC)和其他電子器件的基板。晶圓是構(gòu)建單個(gè)電子組件和電路的基礎(chǔ),各種材料和圖案層在晶圓上逐層堆疊形成。由于優(yōu)異的電子特性,硅成為了常用的半導(dǎo)體晶圓材料。根據(jù)摻雜物的添加,硅可以作為良好的絕緣體或?qū)w。此外,硅的儲(chǔ)量也十分豐富,上述這些特性都使其成為半導(dǎo)體行業(yè)的成本效益選擇。其他材料如鍺、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和碳化硅(SiC)也具有一定的適用場(chǎng)景,但它們的市場(chǎng)份額遠(yuǎn)小于硅。晶圓研磨切割超窄街切割方案中清航科實(shí)現(xiàn)30μm道寬,芯片數(shù)量提升18%。

晶圓切割設(shè)備是用于半導(dǎo)體制造中,將晶圓精確切割成單個(gè)芯片的關(guān)鍵設(shè)備。這類設(shè)備通常要求高精度、高穩(wěn)定性和高效率,以確保切割出的芯片質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。晶圓切割設(shè)備的技術(shù)參數(shù)包括切割能力、空載轉(zhuǎn)速、額定功率等,這些參數(shù)直接影響到設(shè)備的切割效率和切割質(zhì)量。例如,切割能力決定了設(shè)備能處理的晶圓尺寸和厚度,空載轉(zhuǎn)速和額定功率則關(guān)系到設(shè)備的切割速度和穩(wěn)定性。此外,設(shè)備的電源類型、電源電壓等也是重要的考慮因素,它們影響到設(shè)備的兼容性和使用范圍?,F(xiàn)在店內(nèi)正好有切割設(shè)備,具備較高的切割能力(Ф135X6),空載轉(zhuǎn)速達(dá)到2280rpm,電源電壓為380V,適用于多種切割需求。
為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求,中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式,標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)切割設(shè)備可實(shí)現(xiàn)7天內(nèi)快速發(fā)貨,定制化設(shè)備交付周期控制在30天以內(nèi)。同時(shí)提供門(mén)到門(mén)安裝調(diào)試服務(wù),配備專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程跟進(jìn),確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面,中清航科引入實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法。通過(guò)多因素正交試驗(yàn),系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點(diǎn)位置等參數(shù)對(duì)切割質(zhì)量的影響,建立參數(shù)優(yōu)化模型,可在20組實(shí)驗(yàn)內(nèi)找到比較好工藝組合,較傳統(tǒng)試錯(cuò)法減少60%的實(shí)驗(yàn)次數(shù),加速新工藝開(kāi)發(fā)進(jìn)程。中清航科真空吸附晶圓托盤(pán),解決超薄晶圓切割變形難題。

中清航科兆聲波清洗技術(shù)結(jié)合納米氣泡噴淋,去除切割道深槽內(nèi)的微顆粒。流體仿真設(shè)計(jì)使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結(jié)構(gòu),殘留物<5ppb,電鏡檢測(cè)達(dá)標(biāo)率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務(wù):通過(guò)云平臺(tái)監(jiān)控耗材使用狀態(tài),按實(shí)際切割長(zhǎng)度計(jì)費(fèi)。客戶CAPEX(資本支出)降低40%,并享受技術(shù)升級(jí),實(shí)現(xiàn)輕資產(chǎn)運(yùn)營(yíng)。中清航科VirtualCut軟件構(gòu)建切割過(guò)程3D物理模型,輸入材料參數(shù)即可預(yù)測(cè)崩邊尺寸、應(yīng)力分布。虛擬調(diào)試功能將新工藝驗(yàn)證周期從3周壓縮至72小時(shí),加速客戶產(chǎn)品上市。中清航科綠色切割方案:冷卻液循環(huán)利用率達(dá)95%,激光系統(tǒng)能耗降低30%(對(duì)比行業(yè)均值)。碳足跡追蹤平臺(tái)量化每片晶圓加工排放,助力客戶達(dá)成ESG目標(biāo),已獲ISO14064認(rèn)證。中清航科全自動(dòng)切割線配備AI視覺(jué)定位,精度達(dá)±1.5μm。寧波12英寸半導(dǎo)體晶圓切割寬度
中清航科切割工藝白皮書(shū)下載量超10萬(wàn)次,成行業(yè)參考標(biāo)準(zhǔn)。晶圓研磨切割
隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對(duì)晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì),承諾在收到客戶新樣品后72小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報(bào)告與樣品測(cè)試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場(chǎng)先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要,中清航科嚴(yán)格遵循SEMIS2安全標(biāo)準(zhǔn),在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門(mén)檢測(cè)、過(guò)載保護(hù)等,同時(shí)配備安全警示系統(tǒng),實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn),確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。晶圓研磨切割