國產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
關(guān)于雅特力助力關(guān)節(jié)運(yùn)動(dòng)
維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動(dòng)態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
雅特力科技助力宇樹科技推動(dòng)智慧機(jī)器人創(chuàng)新應(yīng)用
雅特力AT32 Workbench煥“芯”升級(jí)!
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矽??萍极@TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場機(jī)遇并存
多層陶瓷芯片(MLCC)是實(shí)現(xiàn)超寬帶電容的主流技術(shù)路徑。為追求超寬帶性能,MLCC技術(shù)經(jīng)歷了明顯演進(jìn)。首先,采用超細(xì)粒度、高純度的介電材料(如Class I類中的NPO/COG特性材料),這類材料的介電常數(shù)隨頻率和溫度的變化極小,保證了電容值的穩(wěn)定性。其次,采用層層疊疊的精細(xì)內(nèi)部電極結(jié)構(gòu),并通過優(yōu)化電極圖案(如交錯(cuò)式設(shè)計(jì))和采用低電感端電極結(jié)構(gòu)(如三明治結(jié)構(gòu)或帶翼電極),極大縮短了內(nèi)部電流路徑,有效降低了ESL。,封裝尺寸不斷小型化(如0201, 01005甚至更?。?,不僅節(jié)省空間,更關(guān)鍵的是因?yàn)楦〉奈锢沓叽缫馕吨偷墓逃须姼?,使其自諧振頻率得以推向更高的頻段,從而覆蓋更寬的頻譜。與傳統(tǒng)電解電容相比,其在高頻下的阻抗特性優(yōu)勢明顯。116SEA100M100TT

單一電容器無法在超寬頻帶內(nèi)始終保持低阻抗。因此,在實(shí)際電路中,需要構(gòu)建一個(gè)由多個(gè)不同容值電容器組成的退耦網(wǎng)絡(luò)。小容量電容(如0.1μF, 0.01μF, 1000pF, 100pF)擁有較高的自諧振頻率,負(fù)責(zé)濾除中高頻噪聲;而大容量電容(如10μF, 47μF)或電解電容負(fù)責(zé)濾除低頻紋波和提供電荷儲(chǔ)備。這些電容并聯(lián)后,它們的阻抗曲線相互疊加,從而在從低頻到極高頻的整個(gè)范圍內(nèi)形成一條平坦的低阻抗路徑。PCB上的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)設(shè)計(jì)就是基于此原理,通過精心選擇不同容值、不同封裝的電容并合理布局,來實(shí)現(xiàn)超寬帶的低阻抗目標(biāo),確保電源完整性。111XCC5R6K100TT低ESL設(shè)計(jì)能減少高頻下電容自身的發(fā)熱和效率損耗。

高性能的測試與測量設(shè)備(如高級(jí)示波器、頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀)本身就是對(duì)信號(hào)保真度要求比較高的電子系統(tǒng)。它們的模擬前端、采樣電路、時(shí)鐘系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理單元必須具有極低的噪聲和失真。超寬帶電容在這些設(shè)備中無處不在,用于穩(wěn)定電源、過濾噪聲、耦合信號(hào)以及構(gòu)建內(nèi)部高頻電路。它們的性能直接影響到設(shè)備的基線噪聲、動(dòng)態(tài)范圍、測量精度和帶寬指標(biāo)??梢哉f,沒有高性能的超寬帶電容,就無法制造出能夠精確測量GHz信號(hào)的前列測試設(shè)備。這些設(shè)備反過來又用于表征和驗(yàn)證其他超寬帶電容的性能,形成了技術(shù)發(fā)展的正向循環(huán)。
與傳統(tǒng)電解電容(鋁電解、鉭電解)相比,超寬帶MLCC電容具有壓倒性的高頻優(yōu)勢。電解電容的ESL和ESR通常很高,其有效工作頻率很少能超過幾百kHz到1MHz,主要用于低頻濾波和大容量儲(chǔ)能。而超寬帶MLCC的ESL和ESR極低,工作頻率可達(dá)GHz級(jí)別。此外,MLCC沒有極性,更安全(無?電容的燃爆風(fēng)險(xiǎn)),壽命更長(無電解液干涸問題),溫度范圍更寬。當(dāng)然,電解電容在單位體積容量和成本上仍有優(yōu)勢,因此在實(shí)際系統(tǒng)中,它們常與超寬帶MLCC搭配使用,分別負(fù)責(zé)低頻和高頻部分。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中助力實(shí)現(xiàn)低功耗與高性能的平衡。

在現(xiàn)代高速電路設(shè)計(jì)中,憑借經(jīng)驗(yàn)或簡單計(jì)算已無法設(shè)計(jì)出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進(jìn)的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實(shí)際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數(shù)模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標(biāo)頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗。工程師可以通過仿真來優(yōu)化電容的數(shù)量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預(yù)測并解決潛在的電源噪聲問題,很大縮短開發(fā)周期,降低風(fēng)險(xiǎn)。是5G基站、雷達(dá)等射頻微波電路中不可或缺的元件。111TEC120K100TT
其性能直接影響無線通信設(shè)備的靈敏度和通信距離。116SEA100M100TT
未來,超寬帶電容技術(shù)將繼續(xù)向更高頻率、更低損耗、更高集成度和更優(yōu)可靠性發(fā)展。新材料如低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)允許將多個(gè)電容、電感、電阻甚至傳輸線共同集成在一個(gè)三維陶瓷模塊中,形成復(fù)雜的無源網(wǎng)絡(luò)或功能模塊(如濾波器、巴倫)。LTCC可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路、更優(yōu)的高頻性能和更好的熱穩(wěn)定性,非常適合系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)和毫米波應(yīng)用。此外,對(duì)新型介電材料的探索(如具有更高介電常數(shù)且更穩(wěn)定的材料)也在持續(xù)進(jìn)行,以期在未來實(shí)現(xiàn)更高容值密度和更寬工作頻段。116SEA100M100TT
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