國(guó)產(chǎn)MCU賦能低空經(jīng)濟(jì)發(fā)展
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維特比算法與DSP芯片——解碼噪聲中的“比較好路徑”
2025年關(guān)于麥歌恩動(dòng)態(tài)
雅特力推出新系列微控制器:AT32F455/F456/F45
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矽睿科技獲TüV萊茵 ISO 26262 認(rèn)證
國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展,技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)機(jī)遇并存
封裝小型化是提升高頻性能的必然趨勢(shì)。更小的物理尺寸(如01005, 0201, 0402封裝)意味著更短的內(nèi)部電流路徑和更小的電流回路面積,從而天然具有更低的ESL。這使得小封裝電容的自諧振頻率(SRF)可以輕松達(dá)到GHz以上,非常適合用于芯片周邊的超高頻退耦。然而,小型化也帶來(lái)了挑戰(zhàn):更小的尺寸對(duì)制造精度、材料均勻性和貼裝工藝提出了更高要求;同時(shí),容值通常較小。因此,在PCB設(shè)計(jì)中,通常采用“大小搭配”的策略,將超小封裝的電容盡可能靠近芯片的電源引腳放置,以應(yīng)對(duì)比較高頻的噪聲,而稍大封裝的電容則負(fù)責(zé)稍低的頻段,共同構(gòu)建一個(gè)從低頻到超高頻的全譜系退耦網(wǎng)絡(luò)。
小型化封裝(如0201)固有電感更低,高頻性能更優(yōu)異。118FCC3R0D100TT

即使選擇了ESL極低的超寬帶電容,不合理的PCB布局和安裝也會(huì)引入巨大的安裝電感,徹底毀掉其性能。安裝電感主要來(lái)自電容焊盤到電源/地平面之間的過(guò)孔(via)和走線。為了小化安裝電感,必須遵循以下原則:一是使用短、寬的走線連接;二是使用多個(gè)緊鄰的、低電感的過(guò)孔(via)將電容的兩個(gè)端直接連接到近的電源層和地層;三是采用對(duì)稱的布局設(shè)計(jì)。對(duì)于比較高頻的應(yīng)用,甚至需要采用嵌入式電容技術(shù),將電容介質(zhì)材料直接制作在PCB的電源-地平面之間,實(shí)現(xiàn)近乎理想的平板電容結(jié)構(gòu),將寄生電感降至幾乎為零。113GDB2R2D100TT為自動(dòng)駕駛汽車的毫米波雷達(dá)提供清潔的電源環(huán)境。

在現(xiàn)代高速電路設(shè)計(jì)中,憑借經(jīng)驗(yàn)或簡(jiǎn)單計(jì)算已無(wú)法設(shè)計(jì)出有效的超寬帶退耦網(wǎng)絡(luò)。必須借助先進(jìn)的仿真工具。電源完整性(PI)仿真軟件(如ANSYS SIwave, Cadence Sigrity, Keysight ADS)可以導(dǎo)入實(shí)際的PCB和封裝布局模型,并加載電容器的S參數(shù)模型(包含其全頻段特性),精確仿真出目標(biāo)頻段(從DC到40GHz+)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)阻抗。工程師可以通過(guò)仿真來(lái)優(yōu)化電容的數(shù)量、容值、封裝類型和布局位置,在制板前就預(yù)測(cè)并解決潛在的電源噪聲問(wèn)題,很大縮短開(kāi)發(fā)周期,降低風(fēng)險(xiǎn)。
超寬帶電容是一種具有特殊頻率響應(yīng)特性的電子元件,能夠在極寬的頻率范圍內(nèi)(通常從幾Hz到數(shù)十GHz)保持穩(wěn)定的電容性能。這種電容器的獨(dú)特之處在于其采用特殊材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),有效降低了寄生電感和等效串聯(lián)電阻,使它在高頻環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的阻抗特性。與普通電容器相比,超寬帶電容的介質(zhì)材料和電極結(jié)構(gòu)都經(jīng)過(guò)優(yōu)化,采用高純度陶瓷或特制聚合物介質(zhì),配合多層電極結(jié)構(gòu),確保在寬頻帶內(nèi)具有平坦的頻率響應(yīng)。這些特性使其成為高頻電路、微波系統(tǒng)和高速數(shù)字應(yīng)用中不可或缺的關(guān)鍵元件。 采用COG(NPO)介質(zhì)材料,溫度與頻率特性極為穩(wěn)定。

現(xiàn)代汽車電子,特別是自動(dòng)駕駛系統(tǒng)和ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)),高度依賴各種傳感器(攝像頭、激光雷達(dá)、毫米波雷達(dá))和高速數(shù)據(jù)處理單元。車載毫米波雷達(dá)工作在24GHz和77GHz頻段,其射頻前端需要超寬帶電容進(jìn)行退耦和隔直,以確保探測(cè)精度和距離分辨率。域控制器和高速網(wǎng)關(guān)對(duì)數(shù)據(jù)處理能力要求極高,需要超寬帶退耦技術(shù)來(lái)保障處理器和存儲(chǔ)器的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,汽車電子對(duì)元器件的壽命、可靠性、耐溫性和抗振動(dòng)性要求極高,車規(guī)級(jí)AEC-Q200認(rèn)證的超寬帶電容成為不可或缺的重心組件。先進(jìn)的薄膜工藝可制造出性能很好的超寬帶電容。113HG111M100TT
與傳統(tǒng)電解電容相比,其在高頻下的阻抗特性優(yōu)勢(shì)明顯。118FCC3R0D100TT
超寬帶電容除了用于退耦,還與電感組合,構(gòu)成LC濾波器,用于信號(hào)線的噪聲濾除。通過(guò)精心選擇電容和電感的 values,可以設(shè)計(jì)出帶通、帶阻或低通特性的濾波器,覆蓋非常寬的頻帶。例如,在高速數(shù)字接口(如PCIe)中,常使用LC濾波器來(lái)抑制EMI。在此類應(yīng)用中,要求電容和電感自身都具有低損耗和高SRF,以確保濾波器在目標(biāo)頻段內(nèi)的性能符合預(yù)期,避免因元件自身的寄生參數(shù)導(dǎo)致性能惡化。光模塊(如400G, 800G OSFP)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)進(jìn)行傳輸,其內(nèi)部的激光驅(qū)動(dòng)器(LDD)、跨阻放大器(TIA)和時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)電路都是高速模擬電路,對(duì)電源噪聲非常敏感。超寬帶電容為這些電路提供本地去耦,確保信號(hào)的純凈度,從而降低誤碼率(BER)。同時(shí),在光電轉(zhuǎn)換的接口處,也需要超寬帶電容進(jìn)行隔直和匹配。其性能直接影響到光模塊的傳輸距離、功耗和可靠性。118FCC3R0D100TT
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