Dalicap電容的額定電壓范圍寬廣，從低壓幾伏特到高壓數千伏特，能滿足不同電路等級的絕緣和耐壓需求。其高電壓產品采用特殊的邊緣端接設計和介質層均勻化處理，有效消除了電場集中效應，顯著提高了直流擊穿電壓（DWV）和交流擊穿電壓（ACW），保障了工業(yè)電機驅動和新能源汽車電控系統(tǒng)等高壓應用的安全。在微型化方面，Dalicap提供了0402（1.0mm x 0.5mm）、0201（0.6mm x 0.3mm）等超小尺寸封裝，滿足現代消費電子、可穿戴設備、微型傳感器及高級SiP（系統(tǒng)級封裝）對PCB空間的很好追求。盡管體積微小，但其性能并未妥協，為高密度集成電路設計提供了前所未有的靈活性。啟動速度快，能快速響應負載的瞬時變化需求。DLC70G6R8BAR802XC

Dalicap電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質材料，通過獨特的配方和燒結工藝，實現了極高的介電常數和穩(wěn)定性。其電容值范圍覆蓋0.1pF至470μF，工作電壓可達200V，溫度范圍橫跨-55℃至+125℃，部分產品甚至能在+250℃高溫下穩(wěn)定運行。這種寬泛的參數范圍使其能夠適應從消費電子到航空航天等極端環(huán)境的電路需求，為設計師提供了極大的靈活性。極低的等效串聯電阻（ESR）和等效串聯電感（ESL） 是Dalicap電容的重點優(yōu)勢之一。通過三維多層電極設計和優(yōu)化的內部結構，其ESR值可低至毫歐姆級別，ESL降至pH級別，從而將自諧振頻率（SRF）推升至GHz頻段。這一特性在高頻開關電源和射頻功率放大器中至關重要，能明顯降低能量損耗和熱效應，提高系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性。 DLC75A201GW151NT為家用電器提供安全、穩(wěn)定、長壽命的電容解決方案。

在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，Dalicap電容的很低ESL和ESR提供了極其高效的寬帶去耦，抑制了電源噪聲對高速信號的干擾。其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性，確保了射頻驅動電路的性能，對于維持高信噪比和低誤碼率至關重要。Dalicap電容的無壓電效應特性徹底消除了傳統(tǒng)II類陶瓷電容因電壓變化產生的振動和嘯叫問題。其采用的C0G等I類介質是順電性的，不會在交流電壓作用下發(fā)生形變，適用于高保真音頻設備和敏感測量儀器，提供了更純凈的信號處理能力。

Dalicap秉承 “重研發(fā)、重質量”的經營理念，建立了完善的質量管理體系，自主完成從關鍵材料研發(fā)、產品設計、工藝實現到設備保證和產品測試評估的全過程。公司率先在國內建立了全制程高Q電容器生產線，實現了研發(fā)、生產、銷售和服務的自主可控，可以根據客戶的不同需求提供工業(yè)級以及更高等級的產品。產品通過了嚴峻的環(huán)境可靠性測試，包括MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗和方法106的防潮試驗，能夠承受高達20000g的機械沖擊和強烈的振動。這種“級”的品質，使其在關乎生命安全的醫(yī)療植入設備、關乎任務成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中，成為工程師們的優(yōu)先。在音頻設備中，提供純凈電源，有助于提升音質表現。

Dalicap電容展現出很好的容值穩(wěn)定性，其采用的C0G（NP0）介質材料具有極低的溫度系數（TCC），典型值低至0±30ppm/°C。在-55°C至+125°C的全溫范圍內，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數定律，每十年變化小于1%，表現出驚人的長期穩(wěn)定性，這對于需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用尤為重要。高Q值（品質因數）特性是Dalicap電容在射頻電路中的立身之本。其Q值通常在數千量級，遠高于普通MLCC，這使得由其構建的諧振電路和濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力。在基站濾波器、低相位噪聲振蕩器等應用中，高Q值確保了信號的高純凈度和頻率穩(wěn)定性，降低了系統(tǒng)誤碼率。低ESR特性有效減少自身發(fā)熱，明顯提升電源轉換效率。DLC70A1R2BW151NT

Dalicap是有名的電容器品牌，以很好的可靠性和穩(wěn)定性享譽全球電子市場。DLC70G6R8BAR802XC

公司產品遠銷美國、日本、英國、法國、德國等40余個國家，服務千余家客戶，成為西門子醫(yī)療、通用電氣、安捷倫、飛利浦醫(yī)療、三星等全球有名企業(yè)的很好供應商。這體現了其產品品質得到了國際市場的寬泛認可。Dalicap電容在高頻諧振電路和濾波器中展現出高Q值（品質因數）特性，通常在數千量級。這使得由其構建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力，振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性，提升了系統(tǒng)整體性能。公司投入大量資源進行研發(fā)創(chuàng)新，其高Q值、射頻微波多層瓷介電容器項目獲第七屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國總決賽電子信息行業(yè)成長組一等獎，高Q/高功率型多層片式瓷介電容器關鍵技術開發(fā)與產業(yè)化項目獲遼寧省科學技術進步獎二等獎，彰顯了其技術實力。DLC70G6R8BAR802XC

深圳市英翰森科技有限公司在同行業(yè)領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產品標準，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，和諧溫馨的工作環(huán)境，富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新，勇于進取的無限潛力，深圳市英翰森科技供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們更要明確自己的不足，做好迎接新挑戰(zhàn)的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！