集成電路或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、芯片(chip)在電子學(xué)中是一種把電路(主要包括半導(dǎo)體裝置,也包括被動元件等)小型化的方式,并通常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。前述將電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)混成集成電路(hybrid integrated circuit)是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動元件,集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。本文是關(guān)于單片(monolithic)集成電路,即薄膜集成電路。計算機集成電路,包括控制單元(CPU)、內(nèi)存儲器、外存儲器、I/O控制電路等。南京常見集成電路銷售方法

38、PLCC(plastic leaded chip carrier)帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出,呈丁字形,是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k位DRAM和256kDRAM中采用,90年代已經(jīng)普及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18到84。J形引腳不易變形,比QFP容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區(qū)別*在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現(xiàn)在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P-LCC等),已經(jīng)無法分辨。為此,日本電子機械工業(yè)會于1988年決定,把從四側(cè)引出J形引腳的封裝稱為QFJ,把在四側(cè)帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ和QFN)。濱湖區(qū)質(zhì)量集成電路生產(chǎn)廠家小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

——這是集成電路的布局,模擬電路和數(shù)字電路分開,處理小信號的敏感電路與翻轉(zhuǎn)頻繁的控制邏輯分開,電源單獨放在一角。每層樓的房間布局不一樣,走廊也不一樣,有回字形的、工字形的、幾字形的——這是集成電路器件設(shè)計,低噪聲電路中可以用折疊形狀或“叉指”結(jié)構(gòu)的晶體管來減小結(jié)面積和柵電阻。各樓層直接有高速電梯可達,為了效率和功能隔離,還可能有多部電梯,每部電梯能到的樓層不同——這是集成電路的布線,電源線、地線單獨走線,負載大的線也寬;時鐘與信號分開;每層之間布線垂直避免干擾;CPU與存儲之間的高速總線,相當(dāng)于電梯,各層之間的通孔相當(dāng)于電梯間……
21、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。22、LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。23、LGA(land grid array)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F(xiàn)已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應(yīng)用于高速邏輯LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。表示帶散熱器的標(biāo)記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。

11、DSO(dual small out-lint)雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。12、DICP(dual tape carrier package)集成電路雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù),封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI,但多數(shù)為定制品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,將DICP命名為DTP。雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,80年代后期已基本上不用。南京節(jié)能集成電路服務(wù)熱線
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。南京常見集成電路銷售方法
使用單晶硅晶圓(或III-V族,如砷化鎵)用作基層。然后使用微影、擴散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件,然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線,如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量,導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。IC由很多重疊的層組成,每層由圖像技術(shù)定義,通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導(dǎo)體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導(dǎo)層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。南京常見集成電路銷售方法
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