國(guó)產(chǎn)手機(jī)自研芯片體系——包括手機(jī)SoC（如麒麟系列）、服務(wù)器芯片（如鯤鵬）、AI加速芯片（如昇騰Ascend）——不僅是產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的**，更是中國(guó)半導(dǎo)體自主可控的戰(zhàn)略支點(diǎn)。這些芯片高度集成、性能***、功耗敏感，對(duì)測(cè)試設(shè)備的全面性、精度、效率和靈活性提出前所未有的挑戰(zhàn)。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)，正是為這類(lèi)**國(guó)產(chǎn)芯片量身打造的“全能考官”。國(guó)磊GT600不僅能驗(yàn)證手機(jī)SoC的CPU/GPU的基礎(chǔ)邏輯功能，更能通過(guò)可選配的AWG（任意波形發(fā)生器），模擬真實(shí)世界的模擬信號(hào)，精細(xì)測(cè)試ISP圖像處理單元對(duì)攝像頭輸入信號(hào)的響應(yīng)質(zhì)量，確保拍照清晰、色彩準(zhǔn)確；通過(guò)高精度TMU（時(shí)間測(cè)量單元，精度達(dá)10ps），驗(yàn)證5G基帶芯片的信號(hào)時(shí)序與抖動(dòng)，保障通信穩(wěn)定低延遲；通過(guò)每通道PPMU，檢測(cè)NPU在待機(jī)與高負(fù)載下的微小漏電流，確保AI算力強(qiáng)勁的同時(shí)功耗可控。 國(guó)磊GT600每通道集成PPMU，支持nA級(jí)電流分辨率，可精確測(cè)量SoC在睡眠、深度睡眠或關(guān)斷模式下的靜態(tài)漏電流。福州SIR測(cè)試系統(tǒng)定制

低功耗SoC在先進(jìn)工藝下表現(xiàn)出更復(fù)雜的漏電行為、更敏感的電源完整性需求、更精細(xì)的時(shí)序窗口，以及混合信號(hào)模塊（如PLL、ADC、LDO）的高精度驗(yàn)證要求。傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備往往難以滿足這些需求，尤其是在靜態(tài)電流（IDDQ）、電壓裕量測(cè)試、動(dòng)態(tài)功耗曲線、喚醒延遲、電源序列控制等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量上。此時(shí)，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的價(jià)值凸顯。GT600支持每通道PPMU（ParametricPinMonitorUnit），可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流測(cè)量，**捕捉先進(jìn)工藝下SoC的漏電異常，確保低功耗模式（Sleep/DeepSleep）的有效性。其可選配的高精度浮動(dòng)SMU板卡支持-2.5V~7V寬電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試與電源域上電時(shí)序驗(yàn)證。無(wú)錫PCB測(cè)試系統(tǒng)精選廠家國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)可有效支持90nm、65nm、40nm、28nm、14nm、12nm、7nm等主流CMOS工藝節(jié)點(diǎn)的電源門(mén)控測(cè)試。

HBM的集成不****是帶寬提升，更帶來(lái)了復(fù)雜的混合信號(hào)測(cè)試挑戰(zhàn)。SoC與HBM之間的信號(hào)完整性、電源噪聲、時(shí)序?qū)R（Skew）等問(wèn)題，直接影響芯片性能與穩(wěn)定性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其模塊化設(shè)計(jì)，支持AWG、TMU、SMU、Digitizer等高精度模擬板卡，實(shí)現(xiàn)“數(shù)字+模擬”一體化測(cè)試。例如，通過(guò)GT-TMUHA04（10ps分辨率）精確測(cè)量HBM接口時(shí)序偏差，利用GT-AWGLP02（-122dBTHD）生成純凈激勵(lì)信號(hào)，**驗(yàn)證高速SerDes性能。GT600將復(fù)雜問(wèn)題系統(tǒng)化解決，為HBM集成芯片提供從DC參數(shù)到高頻信號(hào)的**測(cè)試保障，確保每一顆芯片都經(jīng)得起AI時(shí)代的嚴(yán)苛考驗(yàn)。

在地緣***風(fēng)險(xiǎn)加劇的當(dāng)下，芯片測(cè)試環(huán)節(jié)的自主可控關(guān)乎**。過(guò)去，**SoC測(cè)試嚴(yán)重依賴(lài)泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)等國(guó)外設(shè)備，存在數(shù)據(jù)泄露、斷供禁運(yùn)等隱患。GT600作為純國(guó)產(chǎn)**測(cè)試機(jī)，從FPGA控制邏輯到測(cè)試向量編譯器均實(shí)現(xiàn)自主開(kāi)發(fā)，確保測(cè)試數(shù)據(jù)不出境、設(shè)備不受制于人。尤其在**、金融、能源等敏感領(lǐng)域部署的AI芯片，必須通過(guò)可信平臺(tái)驗(yàn)證。GT600的出現(xiàn)，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備在400MHz以上高頻段的空白，為國(guó)家關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施提供“***一道防線”，是構(gòu)建安全、普惠、可信AI生態(tài)的基石。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持GT-AWGLP02任意波形發(fā)生器板卡，THD達(dá)-122dB，適用于HBMSerDes接收端靈敏度測(cè)試。

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開(kāi)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號(hào)支持與開(kāi)放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測(cè)試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過(guò)GPIB/TTL接口與探針臺(tái)、分選機(jī)聯(lián)動(dòng)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程。選擇國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，就是選擇一條高效、自主、面向AI時(shí)代的SoC測(cè)試之路。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)支持高達(dá)2048個(gè)數(shù)字通道，滿足HBM接口千級(jí)I/O引腳的并行測(cè)試需求。GEN3測(cè)試設(shè)備

國(guó)磊半導(dǎo)體，您值得信賴(lài)的測(cè)試伙伴。福州SIR測(cè)試系統(tǒng)定制

高精度模擬測(cè)試能力匹配MEMS信號(hào)鏈要求，MEMS傳感器輸出信號(hào)微弱（如微伏級(jí)電容變化或納安級(jí)電流），對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的本底噪聲和分辨率要求極高。國(guó)磊（Guolei）GT600可選配的GT-AWGLP02 AWG板卡具備**-122dB THD**（總諧波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超純凈激勵(lì)信號(hào)；同時(shí)其Digitizer支持20~24位采樣，可精確捕獲微弱響應(yīng)。這種能力對(duì)于測(cè)試MEMS麥克風(fēng)的靈敏度、壓力傳感器的滿量程輸出或磁力計(jì)的偏置穩(wěn)定性至關(guān)重要。支持低功耗與寬電壓范圍測(cè)試 許多MEMS器件用于可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等電池供電場(chǎng)景，對(duì)功耗極為敏感。國(guó)磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08電源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**輸出，并具備每引腳**電源控制（PPMU），可精確測(cè)量待機(jī)/工作/休眠各模式下的電流（nA~mA級(jí)），驗(yàn)證MEMS-SoC是否滿足ULP（**功耗）設(shè)計(jì)目標(biāo)，這對(duì)通過(guò)終端產(chǎn)品能效認(rèn)證（如Energy Star）具有直接價(jià)值。福州SIR測(cè)試系統(tǒng)定制