當(dāng)前，AI大模型與高性能計(jì)算正以前所未有的速度推動(dòng)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）技術(shù)爆發(fā)式增長(zhǎng)。HBM3、HBM3E成為英偉達(dá)、AMD、華為等巨頭AI芯片的標(biāo)配，全球需求激增，市場(chǎng)缺口持續(xù)擴(kuò)大。然而，HBM不**改變了芯片架構(gòu)，更對(duì)后端測(cè)試提出了前所未有的挑戰(zhàn)——高引腳數(shù)、高速接口、復(fù)雜時(shí)序與電源完整性要求，使得傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備難以勝任。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)應(yīng)勢(shì)而生，專為應(yīng)對(duì)HBM時(shí)代**SoC測(cè)試難題而設(shè)計(jì)。它不是直接測(cè)試HBM芯片，而是**服務(wù)于“集成了HBM的AI/GPU芯片”的功能驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試，成為國(guó)產(chǎn)**ATE在HBM浪潮中的關(guān)鍵支撐力量，助力中國(guó)芯突破“內(nèi)存墻”背后的“測(cè)試墻”。監(jiān)測(cè)參數(shù)齊全，包括電阻、電流、電壓、溫濕度等，一目了然。國(guó)產(chǎn)替代GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

AISoC的NPU模塊不**需要功能驗(yàn)證，更需精確的參數(shù)測(cè)試與功耗評(píng)估。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)配備每通道PPMU，可實(shí)現(xiàn)nA級(jí)靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)量，**識(shí)別AI芯片在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，支持多電源域**供電與電流監(jiān)測(cè)，用于驗(yàn)證DVFS（動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)）和電源門控（PowerGating）策略的有效性。此外，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)的GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率，可精確測(cè)量NPU喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間等關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，確保AI任務(wù)的實(shí)時(shí)性與響應(yīng)速度。高性能PCB測(cè)試系統(tǒng)精選廠家立即聯(lián)系我們，獲取專屬的產(chǎn)品演示與報(bào)價(jià)。

當(dāng)全球HBM市場(chǎng)由三星、SK海力士主導(dǎo)，當(dāng)先進(jìn)封裝技術(shù)成為“卡脖子”關(guān)鍵，國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備的自主可控顯得尤為重要。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，正是在這一背景下崛起的國(guó)產(chǎn)**ATE**。它不**性能對(duì)標(biāo)國(guó)際**設(shè)備，更以高性價(jià)比、本地化服務(wù)與持續(xù)創(chuàng)新能力，贏得國(guó)內(nèi)頭部AI芯片企業(yè)的信賴。GT600成功應(yīng)用于多款集成了HBM接口的GPU與AI加速器測(cè)試，驗(yàn)證了其在**領(lǐng)域的實(shí)戰(zhàn)能力。選擇GT600，不**是選擇一臺(tái)測(cè)試機(jī)，更是選擇一條自主可控的國(guó)產(chǎn)化路徑。國(guó)磊GT600——智測(cè)HBM芯時(shí)代，賦能中國(guó)算力新未來(lái)！

在現(xiàn)代手機(jī)SoC中，高速接口如LPDDR5內(nèi)存、PCIe4.0存儲(chǔ)、USB3.2/4.0數(shù)據(jù)傳輸?shù)?，已成為性能瓶頸的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其協(xié)議復(fù)雜、時(shí)序嚴(yán)苛，對(duì)測(cè)試設(shè)備的速率和深度提出極高要求。國(guó)磊GT600支持400MHz測(cè)試速率，可精細(xì)模擬高速信號(hào)邊沿與時(shí)鐘同步，確保接口在極限頻率下穩(wěn)定工作；其128M超大向量深度，足以容納完整的AI大模型推理流程、多任務(wù)并發(fā)調(diào)度等長(zhǎng)周期測(cè)試用例，避免傳統(tǒng)設(shè)備因內(nèi)存不足頻繁加載數(shù)據(jù)導(dǎo)致的測(cè)試中斷或覆蓋不全，真正實(shí)現(xiàn)“一次加載，全程跑完”，保障功能驗(yàn)證的完整性與可靠性。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)搭載GTFY軟件系統(tǒng)，支持C++編程與VisualStudio開(kāi)發(fā)環(huán)境，便于工程師深度定制測(cè)試邏輯。

“風(fēng)華3號(hào)”兼容DirectX、OpenGL、Vulkan等主流圖形生態(tài)，其圖形管線包含頂點(diǎn)處理、光柵化、著色器執(zhí)行等復(fù)雜階段，測(cè)試需覆蓋多種渲染模式與狀態(tài)轉(zhuǎn)換。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持C++編程與VisualStudio開(kāi)發(fā)環(huán)境，便于實(shí)現(xiàn)定制化圖形功能測(cè)試算法，如Shader指令序列驗(yàn)證、Z-Buffer精度測(cè)試、紋理映射完整性檢查等。其128M向量響應(yīng)存儲(chǔ)深度可捕獲長(zhǎng)周期圖形輸出行為，支持對(duì)幀率穩(wěn)定性、畫(huà)面撕裂等異常進(jìn)行回溯分析。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)還支持STDF、CSV等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率追蹤與測(cè)試數(shù)據(jù)與EDA仿真結(jié)果的對(duì)比驗(yàn)證。**適用于PCB、電子組件絕緣性能評(píng)估與品質(zhì)管控。江蘇PCB測(cè)試系統(tǒng)哪家好

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)的10ps分辨率TMU可用于驗(yàn)證先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下更嚴(yán)格的時(shí)序窗口，如快速喚醒與電源切換延遲。國(guó)產(chǎn)替代GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)

高性能GPU的功耗管理直接影響系統(tǒng)穩(wěn)定性與能效比。“風(fēng)華3號(hào)”支持多級(jí)電源域與動(dòng)態(tài)頻率調(diào)節(jié)，要求測(cè)試平臺(tái)具備高精度DC參數(shù)測(cè)量能力。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)每通道集成PPMU，支持nA級(jí)靜態(tài)電流（IDDQ）測(cè)量，可**識(shí)別GPU在待機(jī)、低功耗模式下的漏電異常。其可選配高精度浮動(dòng)SMU板卡，支持-2.5V~7V電壓范圍與1A驅(qū)動(dòng)能力，可用于DVFS電壓切換測(cè)試、電源上電時(shí)序（PowerSequencing）驗(yàn)證及電源抑制比（PSRR）分析。GT-TMUHA04時(shí)間測(cè)量單元提供10ps分辨率，可精確測(cè)量GPU**喚醒延遲、中斷響應(yīng)時(shí)間與時(shí)鐘同步偏差，確保AI訓(xùn)推與實(shí)時(shí)渲染任務(wù)的時(shí)序可靠性。國(guó)產(chǎn)替代GEN3測(cè)試系統(tǒng)批發(fā)