天璣9000系列集成了高性能CPU集群與**NPU，支持多模態(tài)AI推理、端側(cè)大模型運(yùn)行，其芯片內(nèi)部信號(hào)復(fù)雜度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)SoC。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)支持**2048個(gè)數(shù)字通道和400MHz測(cè)試速率，可完整覆蓋天璣類SoC的高并發(fā)I/O接口測(cè)試需求。其32/64/128M向量存儲(chǔ)深度支持復(fù)雜AI指令序列的Pattern加載，確保NPU功能邏輯的完整驗(yàn)證。更關(guān)鍵的是，GT600支持512Sites高并行測(cè)試，**提升測(cè)試吞吐量，降低單顆芯片測(cè)試成本，滿足手機(jī)SoC大規(guī)模量產(chǎn)的效率要求。在AI芯片“拼性能、拼量產(chǎn)”的競(jìng)爭(zhēng)中，國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)為國(guó)產(chǎn)SoC廠商提供了高效、穩(wěn)定的測(cè)試保障。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)可通過(guò)GPIB/TTL接口同步探針臺(tái)與分選機(jī)，實(shí)現(xiàn)HBM集成芯片的CP/FT自動(dòng)化測(cè)試流程。國(guó)產(chǎn)替代高阻測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司打造的GM8800多通道絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)**電子材料與組件可靠性表征國(guó)產(chǎn)化的重要突破。該系統(tǒng)支持高達(dá)256個(gè)測(cè)量通道的并行運(yùn)行，電阻檢測(cè)能力橫跨10^4至10^14Ω，測(cè)量精度嚴(yán)格控制，尤其在常規(guī)應(yīng)用區(qū)間（如10^10Ω以下）精度優(yōu)于±3%，展現(xiàn)出***的測(cè)量一致性和重復(fù)性。GM8800配備高性能電壓施加單元，提供0V~±100V內(nèi)置輸出和1V~3000V外接擴(kuò)展，電壓控制精度高，切換速度快，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可根據(jù)材料特性在1~600秒間靈活設(shè)置，確保測(cè)試條件的科學(xué)性與準(zhǔn)確性。系統(tǒng)具備完善的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)功能，同步采集電阻、電流、電壓、溫度、濕度數(shù)據(jù)，并通過(guò)專業(yè)軟件進(jìn)行處理、顯示、分析與存儲(chǔ)，用戶還可通過(guò)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控與操作。其設(shè)計(jì)充分考慮了長(zhǎng)期實(shí)驗(yàn)的可靠性，內(nèi)置低阻、過(guò)壓、溫濕度越限、斷電、系統(tǒng)死機(jī)等多重報(bào)警和保護(hù)電路，并支持外部UPS延長(zhǎng)斷電保護(hù)時(shí)間。對(duì)比進(jìn)口設(shè)備如英國(guó)GEN3，GM8800在提供同等前列測(cè)試性能的同時(shí)，憑借其更友好的價(jià)格、更靈活的配置選項(xiàng)和更迅捷的本土技術(shù)服務(wù)，為國(guó)內(nèi)集成電路封裝、PCB制造、新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域的客戶提供了超越期望的高性價(jià)比選擇，有力推動(dòng)了國(guó)內(nèi)**測(cè)試儀器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。廣東導(dǎo)電陽(yáng)極絲測(cè)試系統(tǒng)工藝監(jiān)測(cè)參數(shù)齊全，包括電阻、電流、電壓、溫濕度等，一目了然。

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司自主研發(fā)推出CAF測(cè)試系統(tǒng)GM8800。系統(tǒng)集成±100V內(nèi)置電源與3000V外置高壓模塊，采用三段式步進(jìn)電壓技術(shù)：0-100V區(qū)間0.01V微調(diào)、100-500V步進(jìn)0.1V、500-3000V步進(jìn)1V。電壓精度達(dá)±0.05V（1-100VDC），結(jié)合100V/2ms超快上升速度，精細(xì)模擬電動(dòng)汽車電控浪涌沖擊。1MΩ保護(hù)電阻與1-600秒可編程穩(wěn)定時(shí)間，有效消除容性負(fù)載誤差。測(cè)試范圍覆蓋10?-101?Ω，其中101?Ω極限測(cè)量精度±10%，為SiC功率模塊提供實(shí)驗(yàn)室級(jí)絕緣驗(yàn)證方案。

天璣9000系列的成功，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)手機(jī)SoC在AI賽道的**崛起。而其背后，離不開(kāi)從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的完整產(chǎn)業(yè)鏈支撐。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借其高通道密度、高并行能力、混合信號(hào)支持與開(kāi)放C++軟件架構(gòu)，已成為**SoC測(cè)試的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。它不**支持STDF等標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)格式輸出，便于良率分析與AI模型訓(xùn)練反饋，還可通過(guò)GPIB/TTL接口與探針臺(tái)、分選機(jī)聯(lián)動(dòng)，構(gòu)建全自動(dòng)CP/FT測(cè)試流程。選擇國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)，就是選擇一條高效、自主、面向AI時(shí)代的SoC測(cè)試之路。關(guān)注電化學(xué)反應(yīng)對(duì)電路組件的影響，GM8800助您一臂之力！

杭州國(guó)磊半導(dǎo)體設(shè)備有限公司推出的GM8800導(dǎo)電陽(yáng)極絲（CAF）測(cè)試系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)**絕緣材料與PCB可靠性評(píng)價(jià)國(guó)產(chǎn)化的關(guān)鍵設(shè)備。該系統(tǒng)具備強(qiáng)大的多通道并發(fā)測(cè)試能力，**多可支持256個(gè)測(cè)試點(diǎn)同步施加偏置電壓并監(jiān)測(cè)其絕緣電阻變化，電阻測(cè)量范圍覆蓋10^6Ω至10^14Ω，能夠精細(xì)捕捉因離子遷移導(dǎo)致的微小漏電流與電阻劣化趨勢(shì)。GM8800提供從1.0V到3000V的寬范圍測(cè)試電壓，內(nèi)置電源精度高達(dá)±0.05V，并支持外接高壓源以滿足更嚴(yán)苛的測(cè)試條件，其電壓上升速率快至100V/2ms，且測(cè)試電壓穩(wěn)定時(shí)間可在1~600秒間靈活設(shè)置，確保測(cè)試條件的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。系統(tǒng)集成溫濕度監(jiān)測(cè)模塊，并結(jié)合低阻、電壓超限、斷電、軟件異常等多重報(bào)警機(jī)制，***保障測(cè)試過(guò)程的安全與數(shù)據(jù)的有效性。相較于英國(guó)GEN3設(shè)備，GM8800不僅在**性能參數(shù)上實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)，更在通道數(shù)量、數(shù)據(jù)采集速度以及本土化定制服務(wù)方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，其極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格策略使其成為國(guó)內(nèi)集成電路封裝、新能源汽車電控單元、光伏逆變器以及**通信設(shè)備制造商進(jìn)行絕緣可靠性驗(yàn)證與質(zhì)量控制的理想選擇，有力推動(dòng)了國(guó)內(nèi)**測(cè)試儀器的自主可控進(jìn)程。國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過(guò)PPMU測(cè)量芯片在不同電源域下的靜態(tài)電流，精度達(dá)nA級(jí)，適用于低功耗模式驗(yàn)證。國(guó)產(chǎn)GEN測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商

國(guó)磊半導(dǎo)體，您值得信賴的測(cè)試伙伴。國(guó)產(chǎn)替代高阻測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)

AI眼鏡的崛起標(biāo)志著消費(fèi)電子向“感知+計(jì)算+交互”一體化演進(jìn)。其**SoC是典型的高度集成、低功耗、混合信號(hào)器件，測(cè)試難度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)MCU。國(guó)磊GT600測(cè)試機(jī)憑借nA級(jí)電流測(cè)量、高精度模擬測(cè)試、10ps時(shí)序分析、高并行架構(gòu)與開(kāi)放軟件平臺(tái)，成為AI眼鏡SoC從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)落地的關(guān)鍵支撐。它不**滿足當(dāng)前40/28nm節(jié)點(diǎn)的測(cè)試需求，更具備向更先進(jìn)工藝延伸的能力。在AI終端加速滲透的浪潮中，GT600為國(guó)產(chǎn)可穿戴芯片提供可靠、高效、自主可控的測(cè)試解決方案，助力中國(guó)智造搶占下一代人機(jī)交互入口。國(guó)產(chǎn)替代高阻測(cè)試系統(tǒng)研發(fā)